光刻機就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

 

　　這就是光刻機的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。

 

　　光刻機技術是一種精密的微細加工技術。常規(guī)光刻技術是采用波長為2000～4500埃的紫外光作為圖像信息載體，以光致抗光刻技術蝕劑為中間媒介實現圖形的變換、轉移和處理，然后把圖像信息傳遞到晶片或介質層上的一種工藝。

 

　　光刻機的技術分類：

　　1、光學光刻：

　　在光學光刻中，光致抗蝕劑通過光掩模用紫外光曝光。此方法可以圖案化多種功能，但分辨率有限。為了獲得更高的分辨率，使用了較短波長的光（G線435.8nm，H線404.7nm，I線265.4nm）。我們有這個光學光刻系統(tǒng)；

　　接觸光刻：利用我們提供的系統(tǒng)，最小特征約為0.8μm，蕞小對準公差約為0.5μm。

　　2、電子束光刻：

　　代替在光學光刻中使用光源，電子束（電子束）光刻利用電子束在樣品上生成圖案。由于波長短得多，因此我們可以實現更高的分辨率；但是，由于它是單個電子束寫入樣品，因此在樣品上生成圖案所需的時間更長。使用標準抗蝕劑，電子束工具可以實現蕞小7 nm的特征以及1nm的對準公差。這是直接寫技術。

　　3、軟光刻：

　　這將使用預先生成的模具作為基礎來創(chuàng)建三維結構。將諸如聚二甲基硅氧烷（PDMS）之類的軟材料倒入模具中并固化。當它從表面剝離時，它保持了陰模的狀態(tài)。PDMS材料通常附著到另一層，例如玻璃或另一層PDMS。軟光刻通常與較大的特征器件相關聯(lián)。具有20至5000 μm范圍內的特征的微流體系統(tǒng)通常是使用軟光刻技術生產的。另外，我們的用戶通過稱為納米壓印光刻的技術使用該技術來生產納米結構。

　　4、直接光刻：

　　如果圖案僅將被使用一次，則直接產生比在模板上產生用于在樣品上產生圖案的掩模更為經濟。直接寫入用于創(chuàng)建光刻掩模，還可以用于生成不同的高度或灰度特征。我們可以使用設備進行直接光刻印刷。

　　無掩模光刻：使用我們的無掩模光刻系統(tǒng)，我們可以實現蕞小2μm的特征和0.5μm的對準公差。