EVG610-單面、雙面光刻系統(tǒng)是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng)，可處理零碎片和大200 mm的晶圓。
一、簡(jiǎn)介
EVG光刻機(jī)EVG610支持各種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對(duì)準(zhǔn)方式。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿(mǎn)足不斷變化的用戶(hù)需求，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶(hù)概念適合初學(xué)者到專(zhuān)家級(jí)各個(gè)階層用戶(hù)，非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。
EVG610-單面、雙面光刻系統(tǒng)
二、EVG光刻機(jī)應(yīng)用
MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導(dǎo)體等方面的圖形光刻應(yīng)用。
三、EVG光刻機(jī)特征
晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
頂部和底部對(duì)準(zhǔn)功能
高精度對(duì)準(zhǔn)
自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列
電動(dòng)的和程序控制的曝光間隙
支持新的UV-LED技術(shù)
小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
分步流程指引
遠(yuǎn)程技術(shù)支持
多用戶(hù)概念(無(wú)限數(shù)量的用戶(hù)帳戶(hù)和程序，可分配的訪問(wèn)權(quán)限，不同語(yǔ)言)
敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工
臺(tái)式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺(tái)面
附加功能：
鍵合對(duì)準(zhǔn)
紅外對(duì)準(zhǔn)
納米壓印光刻(NIL)
四、技術(shù)參數(shù)
1.掩模版-基板-晶圓尺寸
掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸
基片/晶圓尺寸：100mm/150mm/200mm
晶圓厚度：高達(dá)10mm
2.對(duì)準(zhǔn)模式
頂部對(duì)準(zhǔn)精度：≤ ± 0,5 µm
底部對(duì)準(zhǔn)精度：≤ ± 2,0 µm
紅外對(duì)準(zhǔn)模式：≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料
3.頂部顯微鏡
移動(dòng)范圍1：100mm(X軸：32-100mm；Y軸：-50/+30mm；)
移動(dòng)范圍2：150mm(X軸：32-150mm；Y軸：-75/+30mm；)
移動(dòng)范圍1：200mm(X軸：32-200mm；Y軸：-100/+30mm；)
可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡，可以增加對(duì)比度
4.底部顯微鏡
移動(dòng)范圍1：100mm(X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；)
移動(dòng)范圍2：150mm(X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；)
移動(dòng)范圍1：200mm(X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；)
可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡，可以增加對(duì)比度
5.曝光器件
(1)波長(zhǎng)范圍：
NUV：350 - 450 nm
DUV：低至200 nm (可選)
(2)光源：
汞燈350W , 500W UV LED燈
(3)均勻性：
150mm：≤ 3%
200mm：≤ 4%
(4)濾光片：
汞燈：機(jī)械式
UV LED：軟件可調(diào)
6.曝光模式
接觸：硬、軟接觸，真空
曝光間隙：1 - 1000 µm
線寬精度：1µm
模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
可選：內(nèi)部，浸入，扇形
7.可選功能
鍵合對(duì)準(zhǔn)精度：≤ ± 2,0 µm
納米壓抑光刻(NIL)精度：≤ ± 2,0 µm
納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率：≤ 50 nm圖形分辨率
8.設(shè)施
真空：< 150 mbar
壓縮氣體：6 bar
氮?dú)猓嚎蛇x2或者6 bar
排氣要求：汞燈需要；LED不需要
9.系統(tǒng)方式
系統(tǒng)：windows
文件分享和軟件備份
無(wú)限程序儲(chǔ)存，參數(shù)儲(chǔ)存在程序內(nèi)
支持多語(yǔ)言，含中文
實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程支持，診斷和排除故障
10.楔形補(bǔ)償
全自動(dòng)- 軟件控制
11.規(guī)格
占地面積：0.55m2
高度：1.01m
重量：約250kg
納米壓印分辨率：≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
支持工藝：Soft UV-NIL
產(chǎn)品型號(hào)：