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在電子顯微鏡（電鏡）的微觀探索領(lǐng)域，圖像的清晰性和準(zhǔn)確性至關(guān)重要。而電鏡防振臺(tái)作為保障電鏡穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵部件，其特殊的結(jié)構(gòu)原理發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。電鏡防振臺(tái)的主要目標(biāo)是隔離外界振動(dòng)對(duì)電鏡的干擾，為電鏡創(chuàng)造一個(gè)近乎“靜止”的工作環(huán)境。其結(jié)構(gòu)...
動(dòng)態(tài)激光干涉儀是一種高精度的光學(xué)測(cè)量?jī)x器，主要用于測(cè)量光學(xué)元件的表面形貌、材料的熱膨脹系數(shù)、機(jī)械應(yīng)力場(chǎng)等。該儀器基于干涉原理，通過激光光束的干涉效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)對(duì)被測(cè)對(duì)象的測(cè)量和分析。它廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)、科學(xué)研究、醫(yī)學(xué)診斷等領(lǐng)域，具有高精度、快速、非接觸等優(yōu)點(diǎn)。1.在工業(yè)生產(chǎn)中，動(dòng)態(tài)激光干涉儀可以用于檢測(cè)光學(xué)元件的表面平整度、曲率半徑、波前畸變等參數(shù)。通過對(duì)光學(xué)元件的表面形貌進(jìn)行測(cè)量和分析，可以有效地控制生產(chǎn)過程，提高產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。此外，儀器還可以用于檢測(cè)機(jī)械零件的形狀和尺寸...
晶圓水平儀是一種用于測(cè)量和調(diào)整晶圓表面平整度的重要設(shè)備，在半導(dǎo)體制造、光學(xué)元件生產(chǎn)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。以下是詳細(xì)的選購(gòu)要點(diǎn)描述：1.精度要求-測(cè)量精度：晶圓水平儀的核心指標(biāo)是其測(cè)量精度。高精度的晶圓水平儀能夠提供更準(zhǔn)確的平整度數(shù)據(jù)，對(duì)于半導(dǎo)體制造等對(duì)精度要求很高的領(lǐng)域尤為重要。在選擇時(shí)，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景確定所需的測(cè)量精度，并選擇滿足該精度要求的晶圓水平儀。-重復(fù)性：除了測(cè)量精度外，晶圓水平儀的重復(fù)性也是一個(gè)重要的考慮因素。良好的重復(fù)性意味著在多次測(cè)量中，晶圓水平儀能夠提...
在電子制造和材料科學(xué)領(lǐng)域，去膠技術(shù)是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。隨著科技的進(jìn)步，等離子去膠和微波去膠作為兩種常見的去膠方法，各自具備特殊的優(yōu)勢(shì)與適用性。本文將探討這兩種技術(shù)的基本原理、優(yōu)缺點(diǎn)及其在實(shí)際應(yīng)用中的區(qū)別。一、基本原理1.等離子去膠：利用等離子體的化學(xué)活性來去除材料表面的膠粘劑。在這一過程中，氣體（通常是氬氣、氧氣或氮?dú)猓┍浑婋x形成等離子體，產(chǎn)生高能粒子和自由基。這些高能粒子能夠與膠粘劑分子發(fā)生反應(yīng)，使其降解并有效去除。這種方法通常在低溫條件下進(jìn)行，因此對(duì)熱敏感材料的影響較小...
電容式位移傳感器是一種基于電容原理工作的精密測(cè)量?jī)x器，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)領(lǐng)域，如振動(dòng)監(jiān)測(cè)、距離測(cè)量、液位檢測(cè)等。由于其高精度和快速響應(yīng)的特點(diǎn)，電容式位移傳感器在校準(zhǔn)過程中需要特別細(xì)致和精確。以下是關(guān)于電容式位移傳感器的校準(zhǔn)方式的描述：一、校準(zhǔn)前的準(zhǔn)備工作1.了解傳感器規(guī)格：在開始校準(zhǔn)之前，首先需要詳細(xì)了解電容式位移傳感器的技術(shù)規(guī)格，包括測(cè)量范圍、靈敏度、線性度、重復(fù)性等關(guān)鍵參數(shù)。這些信息將有助于確定校準(zhǔn)的具體步驟和方法。2.準(zhǔn)備標(biāo)準(zhǔn)器具：為了進(jìn)行準(zhǔn)確的校準(zhǔn)，需要準(zhǔn)備一些高精度...
大家也許還不是非常的清楚，光刻機(jī)的種類有非常的多，其中的技術(shù)原理也不盡相同，下面就由我來給大家簡(jiǎn)單介紹一下有關(guān)接近式光刻機(jī)的使用原理及性能指標(biāo)。接近式光刻機(jī)的使用原理：其實(shí)在我國(guó)對(duì)于接近式光刻機(jī)，曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5gm左右。該光刻機(jī)的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到...